今晚（3月21日），NVIDIA春季GTC技術(shù)大會召開。作為NVIDIA炫技的主要舞臺，新東西可謂眼花繚亂。

其中值得關(guān)注的一項是，NVIDIA宣布推出cuLitho軟件加速庫，可以將計算光刻的用時提速40倍。

所謂計算光刻就是為芯片生產(chǎn)制作光掩模的技術(shù)，掩膜是一種平面透明或半透明的光學(xué)元件，上面有芯片加工所需的圖案，按照是否需要曝光將圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠層上。光刻加工過程開始后，通過控制光刻機的曝光和開關(guān)操作，可以將光束根據(jù)掩膜上的圖案進行分割和定位，使得光束只照射到需要曝光的區(qū)域，從而將芯片上的圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠層上，實施芯片光刻。

因為每種芯片都要經(jīng)歷多次曝光，所以光刻中使用的掩膜數(shù)量不盡相同。NVIDIA H100（臺積電4N工藝，800億晶體管）需要89張掩膜，Intel的14nm CPU需要50多張掩膜。

此前“精雕細琢”的計算光刻依賴CPU服務(wù)器集群，現(xiàn)在NVIDIA表示，500套DGX H100（包含4000顆Hopper GPU）可完成與4萬顆CPU運算服務(wù)器相同的工作量，但速度快40倍，功耗低9倍。

這意味著，GPU加速后，生產(chǎn)光掩模的計算光刻工作用時可以從幾周減少到八小時。

黃仁勛透露，NVIDIA已經(jīng)和ASML（荷蘭阿斯麥）、臺積電以及新思科技簽署技術(shù)合作，新思甚至已經(jīng)將該技術(shù)集成到其EDA工具中，將服務(wù)2nm甚至更高精度的制程。

NVIDIA認為，新技術(shù)可以實現(xiàn)更高的芯片密度和產(chǎn)量，按照更好的設(shè)計規(guī)則以及借助人工智能驅(qū)動光刻行業(yè)前進。

按照NVIDIA預(yù)估，未來幾年高NA EUV光刻機應(yīng)用后，掩膜制作的計算數(shù)據(jù)量將提升10倍以上，目前cuLitho軟件加速庫已經(jīng)支持高NA EUV光刻可能用到的曲線掩膜、亞原子光致抗蝕劑掩膜等制造。

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